Hersteller Teilnummer
Dta143zet1g
Hersteller
Onsemi
Einführung
Dieses Produkt ist ein einzelner, voreingenommener PNP-Bipolar-Junction-Transistor (BJT) in einem kleinen Oberflächenmontagepaket.
Produktfunktionen und Leistung
Leistungsbewertung von 200 MW
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung von 50 V.
Sammlerstrom (max) von 100 mA
Collector Cutoff Curry (max) von 500 na
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung von 250 mV bei 10-mA-Kollektorstrom
Gleichstromverstärkung (HFE) von mindestens 80 bei 5-mA-Sammlerstrom und 10 V-Kollektor-Emitter-Spannung
Interne Basenwiderstände von 4,7 kΩ und 47 kΩ
Produktvorteile
Das vorgefertigte Design vereinfacht das Schaltungsdesign
Kleine Oberflächenmontagepaket
ROHS3 -konform
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (max): 50 V
Stromsammler (IC) (max): 100 mA
Aktueller Sammler Cutoff (max): 500 NA
VCE -Sättigung (max) @ IB, IC: 250 mV @ 300 μA, 10 mA
Gleichstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vCE: 80 @ 5 mA, 10 V.
Widerstandsbasis (R1): 4,7 kΩ
Widerstandsemitterbasis (R2): 47 kΩ
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Dieser Transistor ist mit Standard-Assemblierungsprozessen der Oberflächenmontage kompatibel.
Anwendungsbereiche
Verstärker
Schalter
Vorspannungsschaltungen
Allgemeine elektronische Schaltkreise
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und nähert sich nicht nähert sich ab.Austausch- oder Upgrade -Optionen können beim Hersteller erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Das vorgefertigte Design vereinfacht das Schaltungsdesign
Kleine Oberflächenmontagepaket
ROHS3 -konform
Zuverlässige Leistung mit gut definierten technischen Parametern
Geeignet für eine Vielzahl elektronischer Anwendungen
DTA143ZKA-TPMicro Commercial CoTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3L
DTA143ZG-AE3-RUTC