FQP12P20 (1)
Hersteller Teilnummer
FQP12P20
Hersteller
Onsemi
Einführung
Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET-Transistor
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 150 ° C
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 200 V
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
Maximale On-Resistenz (RDS (ON)): 470 mΩ @ 5,75A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 11,5a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 1200PF @ 25V
Maximale Leistungsdissipation: 120W
Produktvorteile
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Schnelle Schaltfähigkeit
Hochspannung
Robustes und zuverlässiges Design
Wichtige technische Parameter
Technologie: MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistor)
FET-Typ: P-Kanal
Schwellenspannung (VGS (TH)): 5V @ 250A
Gate Ladung (QG): 40NC @ 10V
Antriebsspannungsbereich: 10 V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Hermetisch versiegeltes TO-220-3-Paket
Kompatibilität
Durchläufungsmontage
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Regulierungsbehörden wechseln
Industriekontrollen
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, keine Pläne für den Absetzen
Ersatz und Upgrades verfügbar
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hohe Effizienz und niedrige Leistungsverluste aufgrund von geringer Aufteilung
Robustes und zuverlässiges Design für langfristige Leistung
Geeignet für eine Vielzahl von Stromanwendungen
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
Verfügbarkeit von Ersatz und Upgrades für langfristige Unterstützung












