- Dani***alkerTech
- 2026/06/1
Datenblätter
IPx13N03LA G.pdfAndere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdfPCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 04/Jun/2009.pdfIPU13N03LA G Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPU13N03LA G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPU13N03LA G
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | P-TO251-3-1 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 46W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1043 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPU13N |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPU13N03LA G.
| Produkteigenschaften | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | IPU10N03LA G | IPU135N03L G | IPU103N08N3 G | IPU135N08N3 G |
| Hersteller | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Verlustleistung (max) | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Grundproduktnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Serie | - | - | - | - |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | - | - | - |
| Technologie | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Typ FET | - | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
Laden Sie IPU13N03LA G PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPU13N03LA G - Infineon Technologies herunter.
IPU13N03LAGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPU10N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
IPU50R1K4CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPU13N03LACypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPU12N03LVBSEMI
IPU135N03LGVBSEMIIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |













Willst du einen besseren Preis? Hinzufügen zu CART und Senden Sie jetzt RFQ , wir werden Sie sofort kontaktieren.