Hersteller Teilnummer
APTCV60TLM45T3G
Hersteller
Mikrochip -Technologie
Einführung
Hochleistungs-IGBT-Modul mit Hochleistungsdichte für industrielle Motorantriebs- und Stromumrechnungsanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
IGBT-Technologie von Graben-Feld-Stop
Drei-Stufe Wechselrichterkonfiguration mit IGBT und FET
Optimiert für 250W -Leistungsbewertung
Breiter Betriebstemperaturbereich von -40 ° C bis 175 ° C
Niedriger VCE (ein) von 1,9 V @ 15V, 75A
Produktvorteile
Hochleistungsdichte
Verbesserte Effizienz
Zuverlässige Leistung über weite Temperaturbereiche hinweg
Geeignet für dreistufige Wechselrichter-Topologien
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 600V
Stromsammler (IC) (max): 100a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 1,9V @ 15V, 75A
Aktueller Sammler Cutoff (max): 250a
Eingabekapazität (Cies) @ VCE: 4.62NF @ 25V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
NTC -Thermistor zur Temperaturüberwachung
Kompatibilität
Geeignet für Industrie -Motorantriebs- und Stromumrechnungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Variable Frequenzantriebe
Ununterbrochene Stromversorgungen
Wechselrichter für erneuerbare Energien
Industrielle Automatisierungsausrüstung
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und nähert sich nicht nähert sich ab.
Austausch- oder Upgrade -Optionen können bei der Microchip -Technologie verfügbar sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungsdichte und Effizienz für industrielle Anwendungen
Zuverlässige Leistung über weite Temperaturbereiche hinweg
Optimiert für dreistufige Wechselrichtertopologien
Robustes Design mit Sicherheitsmerkmalen wie NTC -Thermistor
Kompatibilität mit einer Vielzahl von industriellen Anwendungen

APTCV60HM70RT3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTD1608-ELB33Kingbright