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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD10NM60ND
STD10NM60ND Image
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STD10NM60ND - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD10NM60ND
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD10NM60ND
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD10NM60ND.pdf
RoHS Status
vorrätig: 27269

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Spezifikation

STD10NM60ND Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD10NM60ND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD10NM60ND

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 577 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer STD10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD10NM60ND.

Produkteigenschaften STD10NM60ND STD10NM65N STD10NF10T4 STD10PF06T4
Artikelnummer STD10NM60ND STD10NM65N STD10NF10T4 STD10PF06T4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 9A (Tc) 13A (Tc) 10A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 100 V 60 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STD10 STD10 STD10 STD10
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V 480mOhm @ 4.5A, 10V 130mOhm @ 5A, 10V 200mOhm @ 5A, 10V
Serie FDmesh™ II MDmesh™ II STripFET™ II STripFET™ II
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 577 pF @ 50 V 850 pF @ 50 V 460 pF @ 25 V 850 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 90W (Tc) 50W (Tc) 40W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V

STD10NM60ND Datenblatt PDF

Laden Sie STD10NM60ND PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD10NM60ND - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD10NM60ND

STMicroelectronics
32D-STD10NM60ND

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