Hersteller Teilnummer
STGP14NC60KD
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor IGBT
Produktfunktionen und Leistung
Unterstützt hohe Stromversorgung von bis zu 80W
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung bis zu 600 V
Sammlerstrom bis zu 25A
Niedrig-Zustandsspannungsabfall (VCE (ON) max. 2,5 V)
Schnelle Schaltfunktionen (TD (Ein/Aus) 22,5 ns/116ns)
Niedrige Gate -Ladung (34,4NC)
Produktvorteile
Ausgezeichnete Fähigkeit zur Krafthandhabung
Hochspannungs- und Strombewertungen
Schnelle Schaltleistung
Effiziente Leistungsumwandlung
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 600 V
Sammlerstrom (max): 25a
Spannungsabfall im Stadium (VCE (ON)): 2,5 V
Reverse Recovery Time (TRR): 37Ns
Torladung: 34,4nc
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
To-220-Paket für zuverlässige thermische Verwaltung
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Stromumrechnungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Industriekontrollen
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine Informationen zum Absetzen oder zum Austausch
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Breitspannung und Strombereich
Schnelle, effiziente Schaltleistung
Zuverlässiger thermisches Management im TO-220-Paket
Einhaltung der ROHS3 -Standards