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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP3N150
STP3N150 Image
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STP3N150 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP3N150
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP3N150
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
STx3N150.pdf
STx3N150.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16132

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Spezifikation

STP3N150 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP3N150 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP3N150

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie PowerMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 939 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STP3N150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP3N150.

Produkteigenschaften STP3N150 STP3N62K3 STP36NF06L STP3LN62K3
Artikelnummer STP3N150 STP3N62K3 STP36NF06L STP3LN62K3
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc) 2.7A (Tc) 30A (Tc) 2.5A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±18V ±30V
Serie PowerMESH™ SuperMESH3™ STripFET™ II SuperMESH3™
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 45W (Tc) 70W (Tc) 45W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 939 pF @ 25 V 385 pF @ 25 V 660 pF @ 25 V 386 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V 620 V 60 V 620 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V 3Ohm @ 1.25A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STP3N150 STP3N STP36 STP3LN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.3 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STP3N150 Datenblatt PDF

Laden Sie STP3N150 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP3N150 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
PCN -Verpackung
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Datenblätter
STx3N150.pdf
HTML -Datenblatt
STx3N150.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP3N150

STMicroelectronics
32D-STP3N150

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