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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP4N62K3
STP4N62K3 Image
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STP4N62K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP4N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP4N62K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
STx(I)4N62K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3730

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Spezifikation

STP4N62K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP4N62K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP4N62K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 1.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc)  
Grundproduktnummer STP4N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP4N62K3.

Produkteigenschaften STP4N62K3 STP4LN80K5 STP4N90K5 STP4N80K5
Artikelnummer STP4N62K3 STP4LN80K5 STP4N90K5 STP4N80K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 3.7 nC @ 10 V 5.3 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V 800 V 900 V 800 V
Grundproduktnummer STP4N STP4LN80 STP4N90 STP4N80
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie SuperMESH3™ MDmesh™ K5 MDmesh™ K5 SuperMESH5™
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 1.9A, 10V 2.6Ohm @ 1A, 10V 2.1Ohm @ 1A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 50 V 122 pF @ 100 V 173 pF @ 100 V 175 pF @ 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

STP4N62K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STP4N62K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP4N62K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf
Datenblätter
STx(I)4N62K3.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP4N62K3

STMicroelectronics
32D-STP4N62K3

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