Hersteller Teilnummer
STT13005D
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskrete Halbleiterprodukte - Transistoren - Bipolar (BJT) - Single
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
Durch den Montentyp des Lochs
To-225aa, to-126-3 Paket / Fall
150 ° C (TJ) Betriebstemperatur
45 W Power Max
400 -V -Spannungskollektoremitter (max)
2 ein Stromsammler (IC) (max)
250A Stromsammler Cutoff (max)
5v @ 400 mA, 1,6A VCE -Sättigung (max) @ ib, IC
NPN -Transistor -Typ
10 @ 500 mA, 5V DC Stromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vCE
Produktvorteile
ROHS3 -konform für die Umweltverantwortung
Durch Lochmontage für sichere Installation
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Hochleistungsbeschaffungskapazität von 45 W.
Hochkollektor-Emitter-Breakdown-Spannung von 400 V.
Hoher Sammlerstromkapazität von 2 a
Niedrige Sättigungsspannung für eine effiziente Leistung
NPN -Transistorentyp mit stabilem Gleichstromverstärkung
Wichtige technische Parameter
ROHS Compliance
Montagetyp
Paket / Fall
Betriebstemperatur
Leistungsbewertung
Spannungsbewertung
Aktuelle Bewertung
Sättigungsspannung
Transistortyp
Gleichstromgewinn
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform für eingeschränkte Substanzen
Zuverlässige Durchleitungsmontage
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von elektronischen Schaltungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Verschiedene elektronische Schaltungskonstruktionen, für die bipolare Transistoren von Hochleistungs-NPN-Bipolar erforderlich sind
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar
Hauptgründe zur Auswahl
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
Sichern Sie die Überliegemontage
Breiter Betriebstemperaturbereich
Hochleistungs- und Spannung/Stromhandhabungsfähigkeiten
Niedrige Sättigungsspannung für eine effiziente Leistung
Stabile NPN -Transistoreigenschaften
Zuverlässige Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

STT12006TV1SIRECTIFIERIGBT Module











