Hersteller Teilnummer
STW15N80K5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet in einem Paket bis-247-3
Produktfunktionen und Leistung
Robustes und zuverlässiges Design für Hochleistungsanwendungen
Ausgezeichnete On-Resistenz- und niedrige Gate-Ladung für hohe Effizienz
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Hochdrainer-zu-Source-Spannung von 800 V
Spannung mit niedriger Gate-to-Source-Bewertung von ± 30 V
Hoher kontinuierlicher Abflussstrom von 14a bei 25 ° C
Produktvorteile
Optimiert für eine hohe Effizienz-Leistungsumwandlung
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen
Zuverlässige und dauerhafte Leistung
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 800 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 375 mΩ @ 7a, 10 V
Durchgangsabflussstrom (ID): 14a bei 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 1100PF @ 100V
Leistungsdissipation (TC): 190W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für Hochtemperatur- und harte Umgebungsanwendungen
Kompatibilität
Standardto-247-3-Paket für eine einfache Integration in vorhandene Designs
Anwendungsbereiche
Hochleistungsschaltanwendungen wie Stromversorgungen, Motorantriebe und Wechselrichter
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar, keine bekannten Absachenpläne
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistung und Effizienz für Hochleistungsanwendungen
Zuverlässiges und langlebiges Design für anspruchsvolle Umgebungen
Breiter Betriebstemperaturbereich und Hochspannung/Strom -Bewertungen
Einfache Integration mit Standard-TO-247-3-Paket
Einhaltung der ROHS3 -Vorschriften für die Umweltverantwortung
STW15N60C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
STW14NC50STMicroelectronics