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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW7N105K5
STW7N105K5 Image
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STW7N105K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW7N105K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW7N105K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx7N105K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16308

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Spezifikation

STW7N105K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW7N105K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW7N105K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1050 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STW7N105  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW7N105K5.

Produkteigenschaften STW7N105K5 STW77N65M5 STW75NF30 STW7NK90Z
Artikelnummer STW7N105K5 STW77N65M5 STW75NF30 STW7NK90Z
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 400W (Tc) 320W (Tc) 140W (Tc)
Serie SuperMESH5™ MDmesh™ V STripFET™ SuperMESH™
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 100 V 9800 pF @ 100 V 5930 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 164 nC @ 10 V 60.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V 25V ±20V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer STW7N105 STW77 STW75N STW7NK90
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1050 V 650 V 300 V 900 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V 38mOhm @ 34.5A, 10V 45mOhm @ 30A, 10V 2Ohm @ 2.9A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 69A (Tc) 60A (Tc) 5.8A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

STW7N105K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STW7N105K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW7N105K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STx7N105K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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