Hersteller Teilnummer
SI1034CX-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Einführung
Dual n-Kanal-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
20V Abflussspannung
396m Ω Maximale On-Resistenz
610 mA kontinuierlicher Abflussstrom
43PF -Eingangskapazität
Logikpegel -Tor
2nc Gate -Gebühr
Produktvorteile
Kompakte SOT-563- und SOT-666 Oberflächenmontagepakete
Geeignet für platzbeschränkte Designs
Hohe Leistung und Effizienz
Wichtige technische Parameter
MOSFET -Technologie
Dual n-Kanalkonfiguration
-55 ° C bis 150 ° C Betriebstemperaturbereich
220 MW Stromversorgung
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässiger Grabenmosfet -Design
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen und Schaltungskonstruktionen.
Anwendungsbereiche
Stromverwaltungsschaltungen
Anwendungen umschalten
Spannungsreglerschaltungen
Motorkontrolle
Allzweckverstärkung
Produktlebenszyklus
Der SI1034CX-T1-GE3 ist ein aktives Produkt und nähert sich nicht dem Absetzen.Austausch und Upgrades können bei Vishay/Siliconix erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Leistung und Effizienz
Kompakte und platzsparende Oberflächenmontagepaket
Zuverlässige und robuste Grabenmosfet -Technologie
Breiter Betriebstemperaturbereich
Geeignet für eine Vielzahl von Stromverwaltungs- und Schaltanwendungen
SI1035X-T1Electro-Films (EFI) / Vishay
SI1033X-T1SILICONIX