Hersteller Teilnummer
Dtc115eet1g
Hersteller
Onsemi
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Bipolarer Junction Transistor (BJT), einzeln, voreingenommen
Produktfunktionen und Leistung
Maximale Leistung: 200 MW
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (max): 50 V
Sammlerstrom (max): 100 mA
Collector Cutoff Current (max): 500 NA
Collector-Emitter-Sättigungsspannung (max): 250 mV
Gleichstromverstärkung (min): 80
Grundwiderstand: 100 kΩ
Emitterbasiswiderstand: 100 kΩ
Produktvorteile
Vorgespanntes Design zur einfachen Verwendung
Effiziente Leistungsbearbeitung
Robuste Spannungs- und Stromfähigkeiten
Wichtige technische Parameter
Transistortyp: NPN, voreingenommen
Verpackung: SC-75, SOT-416
Montagetyp: Oberflächenhalterung
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen und Systemen
Anwendungsbereiche
Allzweckverstärkung und Umschaltung in elektronischen Schaltungen
Geeignet für den Einsatz in Unterhaltungselektronik, industrielle Kontrollen und mehr
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in aktiver Produktion und die Verfügbarkeit ist gut.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Zuverlässiger voreingenommenes Design für eine einfache Implementierung
Ausgezeichnete Leistungshandhabung und Spannung/Stromfähigkeiten
Kompakte Oberflächenmontageverpackung für platzbeschränkte Designs
ROHS-Konformität für umweltfreundliche Anwendungen
DTC115EMCJ