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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC3612
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMC3612 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC3612
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC3612
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC3612.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67630

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Anzahl

Spezifikation

FDMC3612 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC3612 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC3612

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Ta), 16A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC36  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC3612.

Produkteigenschaften FDMC3612 FDMC2D8N025S FDMC4435BZ FDMC4435BZ-F126
Artikelnummer FDMC3612 FDMC2D8N025S FDMC4435BZ FDMC4435BZ-F126
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V 1.9mOhm @ 28A, 10V 20mOhm @ 8.5A, 10V 20mOhm @ 8.5A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) Power33 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 50 V 4615 pF @ 13 V 2045 pF @ 15 V 2045 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Ta), 16A (Tc) 124A (Tc) 8.5A (Ta), 18A (Tc) 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® - PowerTrench® PowerTrench®
Grundproduktnummer FDMC36 FDMC2D8 FDMC4435 FDMC4435
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 25 V 30 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 35W (Tc) 47W (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±25V ±25V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDMC3612 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC3612 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC3612 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf FDMC/FR014 29/Mar/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDMC3612.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Capacity Expansion 12/Aug/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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