Hersteller Teilnummer
FGH60N60SMD
Hersteller
Onsemi
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Transistor IGBT Single
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
To-247-3 Paket
Durch Lochmontage
Feldstopp -IGBT -Typ
600 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
120A -Sammlerstrom (max)
5V Collector-Emitter-Sättigungsspannung @ 15V, 60a
39ns Reverse Recovery -Zeit
189nc Gate Ladung
180a pulsierter Sammlerstrom
26MJ Einschalten der Schaltergie, 450 & mgr; J Abbausschaltsenergie ausschalten
18NS Turn-On-Verzögerungszeit, 104ns Abbaus Verzögerungszeit
Produktvorteile
Hochspannung und Stromfähigkeit
Schnelle Schaltleistung
Kompaktes TO-247-3-Paket
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 600V
Stromsammler (IC) (max): 120a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2,5V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (TRR): 39ns
Torladung: 189nc
Stromkollektor gepulst (ICM): 180a
Energiewechsel: 1,26 mJ (Ein), 450 μj (aus)
TD (Ein/Aus) bei 25 ° C: 18NS/104NS
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Durch Lochmontage
Anwendungsbereiche
Stromversorgungen mit hohem Power -Switch -Modus
Motor fährt
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
UPS -Systeme
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatz und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannung und Stromfähigkeit
Schnelle Schaltleistung
Kompaktes TO-247-3-Paket
ROHS3 -konform
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen
