FQD2N60CTM-WS Tech -Spezifikationen
onsemi - FQD2N60CTM-WS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQD2N60CTM-WS

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-252AA
Serie	QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7Ohm @ 950mA, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 44W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	235 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.9A (Tc)
Grundproduktnummer	FQD2N60

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT	BESCHREIBUNG
RoHS Status	ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)	1 (Unlimited)
Status erreichen	REACH Unaffected
ECCN	EAR99

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQD2N60CTM-WS.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	FQD2N60CTM	FQD2N60CTM	FQD2N60CTF_F080	FQD2N60CTF
Hersteller	Fairchild Semiconductor	onsemi	onsemi	onsemi
Serie	-	-	-	-
Typ FET	-	-	-	-
Paket	-	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	-	-	-	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-	-	-	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-	-	-	-
Betriebstemperatur	-	-40°C ~ 85°C	0°C ~ 70°C	-40°C ~ 85°C
Verpackung / Gehäuse	-	196-LFBGA	16-DIP (0.300', 7.62mm)	64-VFQFN Exposed Pad
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-	-	-	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-	-	-	-
Technologie	-	-	-	-
Befestigungsart	-	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id	-	-	-	-
Verlustleistung (max)	-	-	-	-
Vgs (Max)	-	-	-	-
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	-	-	-
Grundproduktnummer	-	DAC34H84	MAX500	ADS62P42
FET-Merkmal	-	-	-	-
Supplier Device-Gehäuse	-	196-NFBGA (12x12)	16-PDIP	64-VQFN (9x9)

FQD2N60CTM-WS Datenblatt PDF

Laden Sie FQD2N60CTM-WS PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQD2N60CTM-WS - onsemi herunter.

PCN -Design/Spezifikation: Description Chg 01/Apr/2016.pdf Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Teilenummer: Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Verpackung: Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Umweltinformationen: onsemi RoHS.pdf
Datenblätter: FQD2N60C, FQU2N60C.pdf
Andere verwandte Dokumente: DPAK3 (TO−252 3 LD) Mechanical Case Outline.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

Jess***Jones

2026/04/17

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Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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