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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQD4N50TM
FQD4N50TM Image
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FQD4N50TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQD4N50TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQD4N50TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FQD4N50, FQU4N50.pdf
vorrätig: 3910

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Anzahl

Spezifikation

FQD4N50TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FQD4N50TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQD4N50TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQD4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQD4N50TM.

Produkteigenschaften FQD4N50TM FQD4N25TM FQD4N25TM FQD4N50TF
Artikelnummer FQD4N50TM FQD4N25TM FQD4N25TM FQD4N50TF
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 250 V 250 V 500 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Grundproduktnummer FQD4 - FQD4 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 2.6A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 1.75Ohm @ 1.5A, 10V 1.75Ohm @ 1.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V

FQD4N50TM Datenblatt PDF

Laden Sie FQD4N50TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQD4N50TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQD4N50, FQU4N50.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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