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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangH11A817S
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H11A817S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
H11A817S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-H11A817S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
Verpackung
4-SMD, Gull Wing
Datenblatt
H11AA814, H11A617, H11A817 Series.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3770

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Spezifikation

H11A817S Tech -Spezifikationen
onsemi - H11A817S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - H11A817S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5300Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V  
VCE Sätttigung (max) 200mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) -  
Supplier Device-Gehäuse 4-SMD  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 2.4µs, 2.4µs  
Verpackung / Gehäuse 4-SMD, Gull Wing  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 600% @ 5mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 50 mA  
Grundproduktnummer H11A  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.49.8000

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi H11A817S.

Produkteigenschaften H11A817S H11A817C300 H11A817DSD H11A817C3SD
Artikelnummer H11A817S H11A817C300 H11A817DSD H11A817C3SD
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 4-SMD, Gull Wing 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-SMD, Gull Wing 4-SMD, Gull Wing
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 2.4µs, 2.4µs 2.4µs, 2.4µs 2.4µs, 2.4µs 2.4µs, 2.4µs
Spannung - Isolation 5300Vrms 5300Vrms 5300Vrms 5300Vrms
Grundproduktnummer H11A H11A H11A H11A
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 4-SMD 4-DIP 4-SMD 4-SMD
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Eingabetyp DC DC DC DC
Serie - - - -
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA
Ausgabetyp Transistor Transistor Transistor Transistor
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA 200% @ 5mA 300% @ 5mA 200% @ 5mA
Spannung - Ausgabe (max) 70V 70V 70V 70V
Stromübertragungsverhältnis (max) 600% @ 5mA 400% @ 5mA 600% @ 5mA 400% @ 5mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V 1.2V 1.2V 1.2V
VCE Sätttigung (max) 200mV 200mV 200mV 200mV
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - - - -

H11A817S Datenblatt PDF

Laden Sie H11A817S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für H11A817S - onsemi herunter.

Datenblätter
H11AA814, H11A617, H11A817 Series.pdf
Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf

Kundenrezensionen

Bewertung: 17 Artikel

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    Produktmodell: Anzahl: 793 2024/10/23
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    Produktmodell: Anzahl: 556 2024/06/19
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    Produktmodell: Anzahl: 908 2024/06/19
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