- Emil***rperTech
- 2026/06/23
Datenblätter
MTP6P20E.pdfUmweltinformationen
onsemi RoHS.pdfPCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Apr/2004.pdfMTP6P20E Tech -Spezifikationen
onsemi - MTP6P20E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MTP6P20E
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 75W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | MTP6P |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | RoHS nicht konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MTP6P20E.
| Produkteigenschaften | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | MTP6P20E | MTP75N06HD | MTP75N03HDL | MTP6P20 |
| Hersteller | onsemi | onsemi | onsemi | MOT |
| Serie | - | * | * | - |
| Verlustleistung (max) | 75W (Tc) | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 | - | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) | - | - | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| Befestigungsart | Through Hole | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V | - | - | - |
| Grundproduktnummer | MTP6P | - | - | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Paket | Tube | Bulk | Bulk | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3A, 10V | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Typ FET | P-Channel | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
Laden Sie MTP6P20E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MTP6P20E - onsemi herunter.
MTP7516Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT Module
MTP6P20MOT
MTP70N06IR
MTP7425Q8-0-T3-GCYSTECH
MTP658G6-0-T1-GCYSTEKEC
MTP75N05HDVBSEMI
MTP6N10VBSEMI
MTP6405N6CYSTEKEC
MTP60N06HDVBSEMI
MTP6405N6-01-T1CYSTECH
MTP658G6CYSIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |













Willst du einen besseren Preis? Hinzufügen zu CART und Senden Sie jetzt RFQ , wir werden Sie sofort kontaktieren.