Hersteller Teilnummer
NGB15N41CLT4G
Hersteller
Onsemi
Einführung
IGBT -Transistor für Leistungselektronikanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Hochleistungsbeschaffungsfunktion bis zu 107W
Hochspannung auf bis zu 440 V
Hochstrombewertung bis zu 15A kontinuierlich, 50A gepulst
Niedriger Spannungsabfall von 2,1 V @ 10a
Schnelle Schaltgeschwindigkeit mit Ausschalten von 4 μs
Produktvorteile
Kompakte Dpak -Oberflächenmontagepaket
Zuverlässige Leistung für Leistungsumwandlungen und Motorsteuerungsanwendungen
Hervorragende thermische Behandlung durch Metall Tab
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 440V
Stromsammler (IC) (max): 15a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2.1V @ 4,5 V, 10a
Stromkollektor gepulst (ICM): 50A
Ausbausage (TD Off): 4 μs
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Auf Zuverlässigkeit und Qualität getestet
Sicheres und robustes Design
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von Leistungselektroniksystemen und Motorfahrten
Anwendungsbereiche
Leistungsumwandlung
Motorkontrolle
Wechselrichter
Stromversorgungsversorgung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, keine Pläne für den Absetzen
Ersatz- und Upgrade -Optionen bei Onsemi erhältlich
Hauptgründe zur Auswahl
Hochleistungsleistung Handhabung
Zuverlässiges und robustes Design
Kompakte Oberflächenmontagepaket
Ausgezeichnetes thermisches Management
Breite Anwendungskompatibilität