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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTHS4101PT1G
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NTHS4101PT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTHS4101PT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTHS4101PT1G
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Verpackung
ChipFET™
Datenblatt
1.NTHS4101PT1G.pdf ...

Datenblätter

NTHS4101P.pdf

Umweltinformationen

onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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1000+ $0.282 $282.00
Steuer- und Lieferkosten sind im Preis nicht inbegriffen, detailliert findet man ihn auf der Sendungsseite

Spezifikation

NTHS4101PT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTHS4101PT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTHS4101PT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Tj)  
Grundproduktnummer NTHS4101  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

NTHS4101PT1G

Hersteller

Onsemi

Einführung

Der NTHS4101PT1G ist ein P-Kanal-MOSFET-Transistor von Onsemi, einem führenden Hersteller von Halbleiterprodukten.

Produktfunktionen und Leistung

MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) Technologie

Drain-to-Source-Spannung (VDSS) von 20 V

Gate-to-Source-Spannung (VGS) von ± 8 V

Niedrige On-Resistenz (RDS (ON)) von 34 MOHM @ 4,8A, 4,5 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) von 4,8a bei 25 ° C -Anschlusstemperatur

Eingangskapazität (CISS) von 2100 PF @ 16V

Leistungsdissipation (max) von 1,3 W bei 25 ° C Umgebungstemperatur

Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C

Produktvorteile

Kompakte Chipfet -Oberflächenmontagepaket

Ausgezeichnete thermische Leistungs- und Leistungshandhabungsfähigkeit

Zuverlässiges und langlebiges Design für den langfristigen Betrieb

Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 20V

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 8 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 34 MOHM @ 4,8A, 4,5 V

Durchgangsabflussstrom (ID): 4,8a bei 25 ° C

Eingangskapazität (CISS): 2100 PF @ 16V

Leistungsdissipation (max): 1,3 W bei 25 ° C.

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Zuverlässiges und langlebiges Design für den langfristigen Betrieb

Kompatibilität

Der NTHS4101PT1G ist ein direkter Ersatz für eine Vielzahl von P-Kanal-MOSFET-Transistoren in verschiedenen Anwendungen.

Anwendungsbereiche

Stromverwaltungsschaltungen

Motorsteuerungssysteme

Schaltkreise umschalten

Verstärkerschaltungen

Allgemeine elektronische Geräte

Produktlebenszyklus

Das NTHS4101PT1G ist ein aktiv unterstütztes Produkt von Onsemi.Es gibt keine Anzeichen dafür, dass das Produkt eingestellt wird oder das Lebensende erreicht.

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Ausgezeichnete thermische Leistungs- und Leistungshandhabungsfähigkeit

Kompakte und platzsparende Chipfet-Oberflächenmontagepaket

Zuverlässiges und langlebiges Design für den langfristigen Betrieb

Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen in der Stromverwaltung, der Motorkontrolle und der allgemeinen Elektronik

Aktiv unterstützt vom Hersteller ohne Anzeichen einer Absage

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTHS4101PT1G.

Produkteigenschaften NTHS4111PT1G NTHS2101PT1G NTHS4111PT1 NTHS5441PT1G
Artikelnummer NTHS4111PT1G NTHS2101PT1G NTHS4111PT1 NTHS5441PT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - -
FET-Merkmal - - - -
Technologie - - - -
Serie - - - -
Verlustleistung (max) - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - -
Typ FET - - - -
Verpackung / Gehäuse - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Befestigungsart - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Paket - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Grundproduktnummer - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Supplier Device-Gehäuse - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Vgs (Max) - - - -

NTHS4101PT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTHS4101PT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTHS4101PT1G - onsemi herunter.

Datenblätter
NTHS4101P.pdf
Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf

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empfohlene Produkte

Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Verpackung

Schutz und Handhabung vor elektrostatischer Entladung

Alle elektrostatisch empfindlichen Komponenten werden gemäß den Verfahren zur Kontrolle elektrostatischer Entladungen behandelt.Die Produkte sind in einer antistatischen sicheren Verpackung hermetisch versiegelt, um elektrostatische Schäden zu verhindern.Zur Identifizierung und Rückverfolgbarkeit wird zudem eine entsprechende Kennzeichnung angebracht.Dies stellt die Produktintegrität während der Lagerung, Handhabung und des Transports sicher.


ESD

Zertifikate und Mitgliedschaft

Von Dritten zertifizierte, strenge Qualitätskontrolle. Unsere Zertifizierung
  • ISO 9001: 2015
  • ISO 13485: 2016
  • ISO 14001: 2015
  • ISO 28000: 2007
  • ISO 45001: 2018
  • GB/T 27922-2011
  • SMTA
  • IPC
  • ESD
  • PSMA
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NTHS4101PT1G

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