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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMFS4C13NT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTMFS4C13NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMFS4C13NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMFS4C13NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 7.2A/38A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NTMFS4C13N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 50040

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Anzahl

Spezifikation

NTMFS4C13NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMFS4C13NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMFS4C13NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 750mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta), 38A (Tc)  
Grundproduktnummer NTMFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMFS4C13NT1G.

Produkteigenschaften NTMFS4C13NT1G NTMFS4C09NT1G NTMFS4C10NAT1G NTMFS4C35NT1G
Artikelnummer NTMFS4C13NT1G NTMFS4C09NT1G NTMFS4C10NAT1G NTMFS4C35NT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA - 2.2V @ 250µA
Serie - - * -
Grundproduktnummer NTMFS4 NTMFS4 NTMFS4 NTMFS4
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta), 38A (Tc) 9A (Ta) - 12.4A (Ta)
Verlustleistung (max) 750mW (Ta) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) - 780mW (Ta), 33W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2 nC @ 10 V 10.9 nC @ 4.5 V - 15 nC @ 4.5 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 15 V 1252 pF @ 15 V - 2300 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 30A, 10V 5.8mOhm @ 30A, 10V - 3.2mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V - 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads - 8-PowerTDFN, 5 Leads
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

NTMFS4C13NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMFS4C13NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMFS4C13NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Wafer Fab Chg 31/Dec/2015.pdf
Datenblätter
NTMFS4C13N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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