Hersteller Teilnummer
NVTFS5811NLWFTWG
Hersteller
Onsemi
Einführung
N-Kanal-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
40 V Abfluss zur Quellspannung
16A kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
7MOHM DRAIN-SOURCE On-Resistenz
1570PF -Eingangskapazität
2W -Leistungsdissipation bei 25 ° C, 21 W bei 100 ° C
-55 ° C bis 175 ° C Betriebstemperaturbereich
Produktvorteile
AEC-Q101 in Kfz-Qualität qualifiziert
Robuste und zuverlässige Leistung
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Kompakt 8-WDFN (3,3x3.3) Oberflächenmontagepaket
Wichtige technische Parameter
VDS: 40V
VGS (max): ± 20 V
RDS (ON) (max): 6,7 MOHM @ 20A, 10V
ID (kontinuierlich): 16a @ 25 ° C
CISS (max): 1570pf @ 25v
PD (max): 3,2W @ 25 ° C, 21W @ 100 ° C.
Vgs (th) (max): 2,2 V @ 250a
QG (max): 30nc @ 10v
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
AEC-Q101 in Kfz-Qualität qualifiziert
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von Stromverwaltungs- und Kontrollanwendungen
Anwendungsbereiche
Geeignet für Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronikanwendungen
Ideal für Netzteile, Motorantriebe und andere Stromumrechnungsschaltungen
Produktlebenszyklus
Aktuelle Produktion, keine Pläne für den Absetzen
Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistungshandhabung und Effizienz mit geringem Auftragsresistenz
Robuste und zuverlässige Leistung im weiten Temperaturbereich
Kompaktes und platzsparendes 8-WDFN-Paket
Qualität und Sicherheitsvorschriften für Automobilqualität
Nachgewiesene Erfolgsbilanz in verschiedenen Stromverwaltungsanwendungen
NVTFS5824NLTAGFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
NVTFS5811NLTAGAMI Semiconductor / ON SemiconductorMOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
NVTFS5124PLTAGonsemiMOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN