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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOD425
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AOD425 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOD425
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOD425
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9A/50A TO252
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AOD425.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5430

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Spezifikation

AOD425 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD425 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD425

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 50A (Tc)  
Grundproduktnummer AOD42  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD425.

Produkteigenschaften AOD425 AOD424 AOD423 AOD421
Artikelnummer AOD425 AOD424 AOD423 AOD421
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 1.6V @ 250µA 3.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 30 V 20 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 71W (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) 2.5W (Ta), 90W (Tc) 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer AOD42 AOD42 AOD42 AOD42
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 15 V 4630 pF @ 10 V 2760 pF @ 15 V 620 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 50A (Tc) 18A (Ta), 45A (Tc) 15A (Ta), 70A (Tc) 12.5A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 4.6 nC @ 4.5 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±25V ±12V ±25V ±12V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 2.5V, 4.5V 10V, 20V 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V 4.4mOhm @ 20A, 4.5V 6.2mOhm @ 20A, 20V 75mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AOD425 Datenblatt PDF

Laden Sie AOD425 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOD425 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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