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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOD425
AOD425 Image
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AOD425 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOD425
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOD425
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9A/50A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AOD425.pdf
vorrätig: 5430

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Anzahl

Spezifikation

AOD425 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD425 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD425

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 50A (Tc)  
Grundproduktnummer AOD42  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD425.

Produkteigenschaften AOD425 AOD442 AOD424 AOD421
Artikelnummer AOD425 AOD442 AOD424 AOD421
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 2.7V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 20 V 20 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 71W (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer AOD42 AOD44 AOD42 AOD42
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 15 V 2300 pF @ 30 V 4630 pF @ 10 V 620 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 50A (Tc) 7A (Ta), 37A (Tc) 18A (Ta), 45A (Tc) 12.5A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 4.6 nC @ 4.5 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±25V ±20V ±12V ±12V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 4.4mOhm @ 20A, 4.5V 75mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AOD425 Datenblatt PDF

Laden Sie AOD425 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOD425 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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