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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedBCR185WE6327
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BCR185WE6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BCR185WE6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BCR185WE6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
BCR185WE6327.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1609250

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Anzahl

Spezifikation

BCR185WE6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BCR185WE6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BCR185WE6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT323-3-1  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 250 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Bulk  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BCR185  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BCR185WE6327.

Produkteigenschaften BCR185WE6327 BCR191E6327 BCR185E6327 BCR191
Artikelnummer BCR185WE6327 BCR191E6327 BCR185E6327 BCR191
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 5mA, 5V 50 @ 5mA, 5V 70 @ 5mA, 5V 50 @ 5mA, 5V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 22 kOhms 47 kOhms 22 kOhms
Grundproduktnummer BCR185 BCR191 BCR185 BCR19
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT323-3-1 PG-SOT23-3-1 PG-SOT23-3-1 PG-SOT323-3-1
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 22 kOhms 10 kOhms 22 kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Leistung - max 250 mW 200 mW 200 mW 250 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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