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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysBSO615NGXUMA1
BSO615NGXUMA1 Image
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BSO615NGXUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSO615NGXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSO615NGXUMA1
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Verpackung
PG-DSO-8
Datenblatt
1.BSO615NGXUMA1.pdf ...
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

BSO615NGXUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSO615NGXUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSO615NGXUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8  
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V  
Leistung - max 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer BSO615  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Hours)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

BSO615NGXUMA1

Hersteller

Infineon -Technologien

Einführung

Der BSO615NGXUMA1 ist ein Doppel-N-Kanal-MOSFET-Transistor im 8-SOIC-Paket, das für Automobil- und andere hochverträgliche Anwendungen ausgelegt ist.

Produktfunktionen und Leistung

60-V-Drain-zu-Source-Spannung

150 MOHM Maximale On-Resistenz

6a kontinuierlicher Abflussstrom

380PF Maximale Eingangskapazität

20nc Maximale Gate -Ladung

Gate-Schwellenspannung auf Logikebene

Produktvorteile

AEC-Q101 in Kfz-Qualität qualifiziert

Robuste SIPMOS -Technologie

Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 150 ° C)

Kleine 8-Soic-Oberflächenmontagepaket

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 60 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 150 MOHM

Abflussstrom (ID): 2.6a

Eingangskapazität (CISS): 380PF

Gate Ladung (QG): 20nc

Gate Schwellenspannung (VGS (th)): 2V

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Qualität und Zuverlässigkeit von Automobilqualität

Kompatibilität

Geeignet für eine breite Palette von Automobil- und Industrieanwendungen, die hochleistungsfähige MOSFET-Schalter auf Logikebene erfordern

Anwendungsbereiche

Kfz -Elektronik

Industriekontrollen

Leistungsmanagement

Motor fährt

Produktlebenszyklus

Derzeit in Produktion

Keine Pläne für die Absetzen

Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Robuste und zuverlässige SIPMOS -Technologie

Qualitätsqualität und AEC-Q101-Qualifikation

Breiter Betriebstemperaturbereich

Kleine 8-Soic-Oberflächenmontagepaket

Gate-Schwellenspannung auf Logikebene für einfache Fahrerkompatibilität

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSO615NGXUMA1.

Produkteigenschaften BSO615NGXUMA1 0ZCH0200FF2E
Artikelnummer BSO615NGXUMA1 0ZCH0200FF2E
Hersteller Infineon Technologies Bel Fuse Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 1210 (3225 Metric), Concave
Leistung - max 2W (Ta) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® 0ZCH
Grundproduktnummer BSO615 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V -
FET-Merkmal Logic Level Gate -
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8 -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V -

BSO615NGXUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSO615NGXUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSO615NGXUMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Cover Tape Chg 13/Jul/2022.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

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Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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