Hersteller Teilnummer
BSV236SPH6327XTSA1
Hersteller
Infineon -Technologien
Einführung
Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET-Transistor, Teil der Optimos-Serie.
Produktfunktionen und Leistung
20 V Drain-Source-Spannung
-55 ° C bis 150 ° C Betriebstemperaturbereich
175 mΩ Maximal On-Resistenz bei 1,5a, 4,5 V
5a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
228PF Maximale Eingangskapazität bei 15 V
560 mW maximale Leistung Dissipation
Produktvorteile
Optimierte Leistung für Leistungskonvertierung und Steuerungsanwendungen
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Breiter Betriebstemperaturbereich
Wichtige technische Parameter
P-Kanal-Mosfet
20 V Drain-Source-Spannung
± 12 V Gate-Source-Spannung
5a kontinuierlicher Abflussstrom
175 mΩ Maximal On-Resistenz
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
PG-SOT363-PO-Verpackung
Kompatibilität
Oberflächenmontagepaket
Kompatibel mit einer Vielzahl von Stromversorgungs- und Konvertierungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Leistungsumwandlung
Motorkontrolle
Beleuchtungssteuerung
Allgemeines Leistungsmanagement
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatz- oder Upgrade -Optionen bei Infineon erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Optimierte Leistung für Stromanwendungen
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Breiter Betriebstemperaturbereich
Zuverlässig und ROHS -konform
Kompatibilität mit verschiedenen Stromversorgungs- und Conversion -Anwendungen


BSV52TAZETEX