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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6727MTR1PBF
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IRF6727MTR1PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6727MTR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6727MTR1PBF
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Verpackung
DIRECTFET™ MX
Datenblatt
1.IRF6727MTR1PBF.pdf ...
Unsere Zertifizierung
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Spezifikation

IRF6727MTR1PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6727MTR1PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6727MTR1PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6190 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Ta), 180A (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6727MTR1PBF.

Produkteigenschaften IRF6727MTR1PBF MAX4722EUA+
Artikelnummer IRF6727MTR1PBF MAX4722EUA+
Hersteller Infineon Technologies Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118', 3.00mm Width)
Serie HEXFET® -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 4.5 V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6190 pF @ 15 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 32A, 10V -
Vgs (Max) ±20V -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C (TA)
Paket Tape & Reel (TR) Tube
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA -
FET-Merkmal - -
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Ta), 180A (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX 8-uMAX/uSOP
Typ FET N-Channel -

IRF6727MTR1PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6727MTR1PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6727MTR1PBF - Infineon Technologies herunter.

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MSL Update 20/Feb/2014.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

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  • Daic***K.
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    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

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    2024/06/16

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    2024/06/19

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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