- Jess***Jones
- 2026/04/17
Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdfPCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 20/Dec/2013.pdfPCN -Baugruppe/Herkunft
DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdfPCN Andere
MSL Update 20/Feb/2014.pdfIRF6727MTR1PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6727MTR1PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6727MTR1PBF
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MX | |
| Serie | HEXFET® | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 32A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MX | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6190 pF @ 15 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 4.5 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6727MTR1PBF.
| Produkteigenschaften | ![]() |
|
|---|---|---|
| Artikelnummer | IRF6727MTR1PBF | MAX4722EUA+ |
| Hersteller | Infineon Technologies | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MX | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118', 3.00mm Width) |
| Serie | HEXFET® | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 4.5 V | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6190 pF @ 15 V | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 32A, 10V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Tube |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA | - |
| FET-Merkmal | - | - |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | - |
| Befestigungsart | Surface Mount | Surface Mount |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) | - |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MX | 8-uMAX/uSOP |
| Typ FET | N-Channel | - |
Laden Sie IRF6727MTR1PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6727MTR1PBF - Infineon Technologies herunter.
Ihre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

Willst du einen besseren Preis? Hinzufügen zu CART und Senden Sie jetzt RFQ , wir werden Sie sofort kontaktieren.