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IRF9953TR Image
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IRF9953TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF9953TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9953TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF9953TR.pdf
vorrätig: 3810

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Spezifikation

IRF9953TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF9953TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF9953TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF995  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF9953TR.

Produkteigenschaften IRF9953TR IRF9956 IRF9953 IRF9952TRPBF
Artikelnummer IRF9953TR IRF9956 IRF9953 IRF9952TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V
Grundproduktnummer IRF995 IRF995 IRF995 IRF995
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V 190pF @ 15V 190pF @ 15V 190pF @ 15V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A 3.5A 2.3A 3.5A, 2.3A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 14nC @ 10V 12nC @ 10V 14nC @ 10V

IRF9953TR Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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