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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFB260NPBF
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IRFB260NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFB260NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFB260NPBF
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB
Verpackung
TO-220AB
Datenblatt
1.IRFB260NPBF.pdf ...
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
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Spezifikation

IRFB260NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFB260NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFB260NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 34A, 10V  
Verlustleistung (max) 380W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4220 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFB260  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

IRFB260NPBF

Hersteller

Infineon -Technologien

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-Hexfet-Power MOSFET

Produktfunktionen und Leistung

Hochleistungsdichte und geringes Beständigkeit

Ultra-niedrige Gate-Ladung für Hochgeschwindigkeitsschaltungen

Geeignet für hochfrequente, Hochleistungsschaltanwendungen

Robustes und zuverlässiges Design

Produktvorteile

Hervorragende Schaltleistung

Niedrige Leitungsverluste

Hochleistungshandhabungsfähigkeit

Zuverlässig und langlebig

Wichtige technische Parameter

Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 200 V.

Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 40 MΩ

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 56 a

Eingangskapazität (CISS): 4220 PF

Leistungsdissipation (TC): 380 w

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 175 ° C

Kompatibilität

Universelle Kompatibilität mit verschiedenen Hochleistungsschaltanwendungen

Anwendungsbereiche

Schaltmodus-Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

Konverter

Industrial Control Systems

Produktlebenszyklus

Derzeit in Produktion

Kein geplanter Abbruch

Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Ausgezeichnete Schaltleistung für hochfrequente und hohe Leistungsanwendungen

Niedrige Leitungsverluste für eine verbesserte Effizienz

Hochleistungsbeschäftigte Fähigkeit für anspruchsvolle Anwendungen

Zuverlässiger und langlebiger Design für den langfristigen zuverlässigen Betrieb

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFB260NPBF.

Produkteigenschaften IRFB20N50KPBF IRFB23N20DPBF IRFB23N15DPBF IRFB3006GPBF
Artikelnummer IRFB20N50KPBF IRFB23N20DPBF IRFB23N15DPBF IRFB3006GPBF
Hersteller Vishay Siliconix International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Supplier Device-Gehäuse - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Typ FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Grundproduktnummer - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Betriebstemperatur - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Technologie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Serie - - - -
Vgs (Max) - - - -
Paket - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) - - - -
Verpackung / Gehäuse - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - -
Befestigungsart - Surface Mount Through Hole Surface Mount

IRFB260NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFB260NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFB260NPBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Verpackung
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017.pdf Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf

Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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    2024/06/19

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