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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7004TR2PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH7004TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7004TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7004TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VQFN Exposed Pad
Datenblatt
IRFH7004TR2PBF.pdf
vorrätig: 4180

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Spezifikation

IRFH7004TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7004TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7004TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-VQFN Exposed Pad  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6419 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 194 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7004TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH7004TR2PBF IRFH5406TRPBF IRFH6200TR2PBF IRFH6200TRPBF
Artikelnummer IRFH7004TR2PBF IRFH5406TRPBF IRFH6200TR2PBF IRFH6200TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 194 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 230 nC @ 4.5 V 230 nC @ 4.5 V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V 14.4mOhm @ 24A, 10V 0.95mOhm @ 50A, 10V 0.95mOhm @ 50A, 10V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA 4V @ 50µA 1.1V @ 150µA 1.1V @ 150µA
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Verpackung / Gehäuse 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6419 pF @ 25 V 1256 pF @ 25 V 10890 pF @ 10 V 10890 pF @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 20 V 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 49A (Ta), 100A (Tc) 49A (Ta), 100A (Tc)

IRFH7004TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7004TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7004TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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