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IRFR6215TRR Image
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IRFR6215TRR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR6215TRR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR6215TRR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR/U6215.pdf
vorrätig: 4300

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Anzahl

Spezifikation

IRFR6215TRR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR6215TRR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR6215TRR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR6215TRR.

Produkteigenschaften IRFR6215TRR IRFR7440PBF IRFR7440TRPBF IRFR6215TRPBF
Artikelnummer IRFR6215TRR IRFR7440PBF IRFR7440TRPBF IRFR6215TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 40 V 40 V 150 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 4610 pF @ 25 V 4610 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak PG-TO252-3 D-Pak
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 110W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 13A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFR6215TRR Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR6215TRR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR6215TRR - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRFR/U6215.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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