Hersteller Teilnummer
IRGP6630DPBF
Hersteller
Infineon -Technologien
Einführung
Diskreter IGBT-Transistor mit hoher Leistung
Geeignet für das Schalten von Anwendungen in der Leistungselektronik
Produktfunktionen und Leistung
Optimierte On-State- und Schalteigenschaften
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Hochstromabrechnungsfähigkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hohe Blockierungsspannung
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische Leistung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 600 V.
Stromsammler (IC) (max): 47 a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 1,95 V @ 15 V, 18 a
Reverse Recovery Time (TRR): 70 ns
Torladung: 30 NC
Stromkollektor gepulst (ICM): 54 a
Energiewechsel: 75 J (Ein), 350 J (aus)
TD (Ein / Aus) bei 25 ° C: 40 ns / 95 ns
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Für hohe Zuverlässigkeit und Sicherheit entwickelt
Robuster Konstruktion für den robusten Betrieb
Entspricht den relevanten Branchenstandards
Kompatibilität
Geeignet für die Verwendung in verschiedenen Stromerziehungsanwendungen
Kann in eine Vielzahl von Stromumrechnungssystemen integriert werden
Anwendungsbereiche
Wechselrichter
Konverter
Motor fährt
Schweißausrüstung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Sonnenwechselrichter
Industrieautomatisierungssysteme
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Keine unmittelbaren Pläne zur Absage
Austausch- und Upgrade -Optionen beim Hersteller erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichneter Stromverhandlung und Effizienz
Zuverlässiges und robustes Design für den langfristigen Betrieb
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Optimierte Schalteigenschaften für eine verbesserte Systemleistung
Verfügbarkeit von technischen Support und Ressourcen vom Hersteller

IRGP50B60PDIIR