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IRLR2703TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR2703TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR2703TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR2703TRLPBF.pdf
vorrätig: 5190

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Anzahl

Spezifikation

IRLR2703TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR2703TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR2703TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR2703TRLPBF.

Produkteigenschaften IRLR2703TRLPBF IRLR2705TRPBF IRLR2703PBF IRLR130ATM
Artikelnummer IRLR2703TRLPBF IRLR2705TRPBF IRLR2703PBF IRLR130ATM
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 55 V 30 V 100 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 25 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 24 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 28A (Tc) 23A (Tc) 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 14A, 10V 40mOhm @ 17A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 120mOhm @ 6.5A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak TO-252AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 68W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -

IRLR2703TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR2703TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR2703TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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