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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS2004STRPBF
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IRS2004STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2004STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2004STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRS2004(S)PbF.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 45410

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Spezifikation

IRS2004STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2004STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2004STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA  
Ladestrom Synchronous  
Grundproduktnummer IRS2004  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 2 (1 Year)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2004STRPBF.

Produkteigenschaften IRS2004STRPBF IRS2008STRPBF IRS2008SPBF IRS2003PBF
Artikelnummer IRS2004STRPBF IRS2008STRPBF IRS2008SPBF IRS2003PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Ladestrom Synchronous Synchronous Synchronous Independent
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 35ns 70ns, 30ns 70ns, 30ns 70ns, 35ns
Grundproduktnummer IRS2004 IRS2008 IRS2008 IRS2003

IRS2004STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2004STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2004STRPBF - Infineon Technologies herunter.

Datenblätter
IRS2004(S)PbF.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018.pdf Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Process Chg 1/Sep/2021.pdf
Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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