- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
T430N.pdfPCN -Verpackung
Thyristor/Diode Module Label REV 1/Feb/2018.pdfPCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 20/Dec/2017.pdfT430N12TOFXPSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - T430N12TOFXPSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - T430N12TOFXPSA1
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| Spannung - Aus-Zustand | 1.8 kV | |
| Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) | 2 V | |
| Struktur | Single | |
| Serie | - | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-200AA | |
| Paket | Tray | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Anzahl der Thyristoren, Dioden | 1 SCR | |
| Befestigungsart | Chassis Mount | |
| Strom - EIN-Zustand (It (RMS)) (Max) | 700 A | |
| Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) | 433 A | |
| Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) | 5200A @ 50Hz | |
| Strom - Haltestrom (Ih) (Max) | 300 mA | |
| Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) | 200 mA | |
| Grundproduktnummer | T430N |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.30.0080 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies T430N12TOFXPSA1.
| Produkteigenschaften | ||||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | T430N12TOFXPSA1 | T430N18TOFXPSA1 | T430N16TOFXPSA1 | T430N14TOFXPSA1 |
| Hersteller | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Strom - Haltestrom (Ih) (Max) | 300 mA | 300 mA | 300 mA | 300 mA |
| Verpackung / Gehäuse | TO-200AA | TO-200AA | TO-200AA | TO-200AA |
| Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA |
| Struktur | Single | Single | Single | Single |
| Grundproduktnummer | T430N | T430N18 | T430N16 | T430N14 |
| Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
| Befestigungsart | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| Strom - EIN-Zustand (It (RMS)) (Max) | 700 A | 700 A | 700 A | 700 A |
| Spannung - Aus-Zustand | 1.8 kV | 1.8 kV | 1.8 kV | 1.8 kV |
| Serie | - | - | - | - |
| Paket | Tray | Tray | Tray | Tray |
| Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) | 433 A | 433 A | 433 A | 433 A |
| Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) | 5200A @ 50Hz | 5200A @ 50Hz | 5200A @ 50Hz | 5200A @ 50Hz |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C |
| Anzahl der Thyristoren, Dioden | 1 SCR | 1 SCR | 1 SCR | 1 SCR |
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T430N14TOFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
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T430N22KOFINTERNATIONAIGBT Module
T4309-1.3328MCTS-Frequency ControlsXTAL OSC XO 1.3328MHZ HCMOS SMDIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
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| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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