CY62137CVSL-70BAI (1)
Hersteller Teilnummer
CY62137CVSL-70BAI
Hersteller
Infineon -Technologien
Einführung
Hochgeschwindigkeits-2-Mbit-statischer RAM mit paralleler Schnittstelle
Produktfunktionen und Leistung
Volatile Memory Technology
Asynchrone SRAM
2Mbit -Speichergröße
128k x 16 Speicherorganisation
Parallele Speicherschnittstelle
70 ns Schreibzykluszeit und Zugriffszeit
7 V bis 3,6 V Versorgungsspannungsbereich
Oberflächenhalterung 48-TFBGA-Paket
Produktvorteile
Schnelle Zugangszeit für Hochgeschwindigkeitsanwendungen geeignet
Stabile und zuverlässige Speicherlösung
Breiter Temperaturbereich für extreme Umgebungen
Wichtige technische Parameter
Speicherformat SRAM - Asynchron
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 ° C ~ 85 ° C
Oberflächenmontage
Paket 48-TFBGA
Lieferantengerätepaket 48-FBGA (7x7)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Robuste statische RAM -Technologie
Für industrielle Temperaturbereiche gebaut
Kompatibilität
Allgemeine parallele Schnittstelle für breite Kompatibilität
Anwendungsbereiche
Eingebettete Systeme
Kommunikationsausrüstung
Industrial Control Systems
Kfz -Elektronik
Produktlebenszyklus
Aktiver Produktstatus
Nicht kurz vor der Abnahme
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hochgeschwindigkeits-SRAM mit Schnellzugriffszeiten für leistungskritische Anwendungen
Zuverlässige Datenbindung über breite Spannung und Temperaturbereiche
Geeignet für verschiedene industrielle Anwendungen aufgrund eines robusten Pakets und Designs
Ruf von Infineon Technologies für hochwertige und dauerhafte Gedächtnisprodukte
CY62137CV33LL-55BVICY











