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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN6066SSD-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
EXPRESSOPTION
Zahlungsmethode

DMN6066SSD-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN6066SSD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN6066SSD-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMN6066SSD.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 111520

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Anzahl
EXPRESSOPTION
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Spezifikation

DMN6066SSD-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN6066SSD-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN6066SSD-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 4.5A, 10V  
Leistung - max 1.8W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 502pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.3nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN6066  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

DMN6066SSD-13

Hersteller

Dioden eingebaut

Einführung

Diskrete Halbleiterprodukte

Transistoren FETS, MOSFETS -Arrays

Produktfunktionen und Leistung

ROHS3 -konform

Oberflächenhalterung

2 N-Kanal (Dual)

60 V Abfluss zur Quellspannung (VDSS)

66MOHM RDS auf (max) @ 4,5a, 10 V

MOSFET (Metaloxid) -Technologie

3a kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C

502pf Eingangskapazität (CISS) (max) @ 30V

Logikpegel -Tor

3V VGS (th) (max) @ 250a

3NC Gate Ladung (QG) (max) @ 10V

Produktvorteile

ROHS3 -konform

Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C ~ 150 ° C)

Effizientes Leistungsumgang mit geringem Auftragsresistenz

Wichtige technische Parameter

Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 60 V

RDS auf (max) @ id, vgs: 66mohm @ 4,5a, 10V

Strom kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 ° C: 3,3a

Eingabekapazität (CISS) (MAX) @ VDS: 502PF @ 30V

Vgs (th) (max) @ id: 3v @ 250a

Gate -Ladung (QG) (max) @ vgs: 10.3nc @ 10v

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C ~ 150 ° C)

Kompatibilität

Oberflächenhalterung

8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breite) Paket

Anwendungsbereiche

Geeignet für eine Vielzahl von elektronischen Anwendungen, die eine effiziente Leistungsabwicklung und -schaltung erfordern

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produkt, nicht kurz vor Abbruch

Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen

ROHS3-konform für umweltfreundliche Anwendungen

Breiter Betriebstemperaturbereich für harte Umgebungen

Effizienter Leistungsbeschaffung mit geringem Auftragsresistenz für eine verbesserte Leistung

Oberflächenmontageverpackung für eine einfache Integration in elektronische Konstruktionen

Die Dual-N-Kanal-Konfiguration bietet Designflexibilität

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN6066SSD-13.

Produkteigenschaften DMN6066SSD-13 DMN6066SSDQ-13 DMN6040SVT-7 DMN6066SSS-13
Artikelnummer DMN6066SSD-13 DMN6066SSDQ-13 DMN6040SVT-7 DMN6066SSS-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A 3.3A (Ta) 5A (Ta) 3.7A (Ta)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.3nC @ 10V 10.3nC @ 10V 22.4 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 502pF @ 30V 502pF @ 30V 1287 pF @ 25 V 502 pF @ 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SOP TSOT-26 8-SO
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 4.5A, 10V 66mOhm @ 4.5A, 10V 44mOhm @ 4.3A, 10V 66mOhm @ 4.5A, 10V
Leistung - max 1.8W 1.25W (Ta) - -
Grundproduktnummer DMN6066 DMN6066 DMN6040 DMN6066

DMN6066SSD-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN6066SSD-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN6066SSD-13 - Diodes Incorporated herunter.

Datenblätter
DMN6066SSD.pdf
Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf

Kundenrezensionen

Bewertung: 17 Artikel

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