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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJD350-13
MJD350-13 Image
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MJD350-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
MJD350-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-MJD350-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 300V 0.5A TO252-3
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Wafer Source 21/Apr/2017.pdf
MJD350.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 223040
  • Einzelpreis: $0.137
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150+ $0.098 $14.70
500+ $0.083 $41.50
2500+ $0.076 $190.00
5000+ $0.072 $360.00
Steuer- und Lieferkosten sind im Preis nicht inbegriffen, detailliert findet man ihn auf der Sendungsseite
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Spezifikation

MJD350-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - MJD350-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - MJD350-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 300 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic -  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3  
Serie -  
Leistung - max 15 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 50mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer MJD350  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

MJD350-13

Hersteller

Dioden eingebaut

Einführung

Hochleistungs-PNP-Bipolar-Junction-Transistor (BJT)

Entwickelt für eine Vielzahl von Stromanwendungen

Produktfunktionen und Leistung

Hochkollektor-Emitter-Breakdown-Spannung von 300 V

Hoher Sammlerstrombewertung von 500 mA

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C

Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung

Effiziente Leistungsabteilung von bis zu 15 W.

Produktvorteile

Robuste und zuverlässige Leistung

Geeignet für Hochspannungsanwendungen mit hoher Stromanwendungen

Kompaktes TO-252-3 (D-PAK) Oberflächenmontagepaket

Wichtige technische Parameter

Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (VCEO): 300 V

Sammlerstrom (IC): 500 mA

Leistungsdissipation: 15W

Gleichstromverstärkung (HFE): mindestens 30 @ 50 mA, 10 V

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards

Kompatibilität

Geeignet für eine breite Palette an Stromelektronik- und Steuerungsanwendungen

Anwendungsbereiche

Stromversorgungsversorgung

Motor fährt

Wechselrichter

Industriekontrollen

Produktlebenszyklus

Dieses Produkt befindet sich derzeit in Produktion und nähert sich nicht dem Abbruch

Bei Bedarf sind Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Zuverlässige und robuste Leistung in Hochleistungs-Hochspannungsanwendungen

Kompaktes Oberflächenmontagepaket für ein effizientes Platine -Layout

Breiter Betriebstemperaturbereich für die Verwendung in anspruchsvollen Umgebungen

Effiziente Leistungsabwicklung von bis zu 15 W.

Einhaltung der ROHS3 -Standards für die Umweltverantwortung

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated MJD350-13.

Produkteigenschaften MJD350-13 MJD340T4 MJD350T4 MJD350
Artikelnummer MJD350-13 MJD340T4 MJD350T4 MJD350
Hersteller Diodes Incorporated STMicroelectronics STMicroelectronics Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 300 V 300 V 300 V 300 V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 50mA, 10V 30 @ 50mA, 10V 30 @ 50mA, 10V 30 @ 50mA, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leistung - max 15 W 15 W 15 W 15 W
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic - - - -
Grundproduktnummer MJD350 MJD340 MJD350 -
Transistor-Typ PNP NPN PNP PNP
Frequenz - Übergang - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 DPAK DPAK DPAK

MJD350-13 Datenblatt PDF

Laden Sie MJD350-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für MJD350-13 - Diodes Incorporated herunter.

2D -Zeichnungen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf Wafer Source 21/Apr/2017.pdf MJD350.pdf

Kundenrezensionen

Bewertung: 17 Artikel

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Europa Deutschland 5
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Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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