Hersteller Teilnummer
MJD350-13
Hersteller
Dioden eingebaut
Einführung
Hochleistungs-PNP-Bipolar-Junction-Transistor (BJT)
Entwickelt für eine Vielzahl von Stromanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Hochkollektor-Emitter-Breakdown-Spannung von 300 V
Hoher Sammlerstrombewertung von 500 mA
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung
Effiziente Leistungsabteilung von bis zu 15 W.
Produktvorteile
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochspannungsanwendungen mit hoher Stromanwendungen
Kompaktes TO-252-3 (D-PAK) Oberflächenmontagepaket
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (VCEO): 300 V
Sammlerstrom (IC): 500 mA
Leistungsdissipation: 15W
Gleichstromverstärkung (HFE): mindestens 30 @ 50 mA, 10 V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette an Stromelektronik- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Industriekontrollen
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in Produktion und nähert sich nicht dem Abbruch
Bei Bedarf sind Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Zuverlässige und robuste Leistung in Hochleistungs-Hochspannungsanwendungen
Kompaktes Oberflächenmontagepaket für ein effizientes Platine -Layout
Breiter Betriebstemperaturbereich für die Verwendung in anspruchsvollen Umgebungen
Effiziente Leistungsabwicklung von bis zu 15 W.
Einhaltung der ROHS3 -Standards für die Umweltverantwortung