- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.867 | $0.87 |
DI100N04PQ-AQ Tech -Spezifikationen
Diotec Semiconductor - DI100N04PQ-AQ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diotec Semiconductor - DI100N04PQ-AQ
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Diotec Semiconductor | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-QFN (5x6) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 50A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 83W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4766 pF @ 20 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diotec Semiconductor DI100N04PQ-AQ.
| Produkteigenschaften | ![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | DI100N10PQ-AQ | DI105N04PQ-AQ | DI100N04D1-AQ | DI100N10PQ |
| Hersteller | Diotec Semiconductor | Diotec Semiconductor | Diotec Semiconductor | Diotec Semiconductor |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Verlustleistung (max) | - | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Serie | - | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Typ FET | - | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Technologie | - | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | - | - | - |
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DI104S_R2_00001PANJIT
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A,
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFET, 100V, 100A, 250W
DI104SPANJIT
DI104S-L T/RPANJIT
DI102S-L T/RPANJIT
DI1010S_R2_10001PANJIT
DI100S-L T/RPANJIT
DI102S-LPANJIT
DI102SPANJIT
DI104S/TRPANJIT
DI1010
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A,
DI1010SPANJIT
DI1010S-LT/RPANJIT
DI1010S_R2_00001PANJITIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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