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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI4420DY
Fairchild Semiconductor
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SI4420DY - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SI4420DY
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-SI4420DY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4420DY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5460

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Anzahl

Spezifikation

SI4420DY Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - SI4420DY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - SI4420DY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor SI4420DY.

Produkteigenschaften SI4420DY SI4418DY-T1-GE3 SI4420DY SI4420DY
Artikelnummer SI4420DY SI4418DY-T1-GE3 SI4420DY SI4420DY
Hersteller Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Infineon Technologies onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 200 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12.5A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 9mOhm @ 12.5A, 10V 9mOhm @ 12.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 5 V 30 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 53 nC @ 5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 15 V - 2240 pF @ 15 V 2180 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 1.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® TrenchFET® HEXFET® PowerTrench®
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SO 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta) 2.3A (Ta) 12.5A (Ta) 12.5A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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