Hersteller Teilnummer
Ixdn75n120
Hersteller
IXYS CORPORATION
Einführung
IGBT -Modul (isoliertes Gate -Transistor)
Entwickelt für Industrieantriebsanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Leistungsbewertung: 660 w
IGBT-Typ: NPT (Non-Punch durch)
Eingabetyp: Standard
Konfiguration: Single
Eingangskapazität (CIES): 5,5 NF @ 25 V.
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (max): 1200 V
Sammlerstrom (max): 150 a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung (max): 2,7 V @ 15 V, 75 a
Collector Cutoff Current (max): 4 Ma
Betriebstemperaturbereich: -40 ° C bis 150 ° C (TJ)
Produktvorteile
Hochleistungsdichte
Zuverlässige Leistung
Optimiert für Industriekraftkonvertierungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Spannungsbewertung: 1200 V.
Aktuelle Bewertung: 150 a
Leistungsbewertung: 660 w
Paket: SOT-227B
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Chassis -Mount -Design für sichere Installation
Kompatibilität
Geeignet für Industrieanträge wie Motorantriebe, Netzteile und erneuerbare Energiesysteme
Anwendungsbereiche
Umwandlung für Industriekraft
Motor fährt
Netzteile
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell
Austausch oder Upgrades können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungsdichte und zuverlässige Leistung
Optimiert für Industriekraftkonvertierungsanwendungen
ROHS3 -konform und Chassis -Mount -Design für sichere Installation
Geeignet für eine breite Palette von Industriekraftanwendungen

