Hersteller Teilnummer
MKI50-06A7
Hersteller
IXYS CORPORATION
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Transistor -IGBT -Modul
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
Chassis -Mount -Verpackung
Betriebstemperaturbereich: -40 ° C bis 150 ° C (TJ)
Leistungsbewertung: 225 w
IGBT-Typ: Nicht-Punch-Through (NPT)
Eingabekonfiguration: Standard
Anwendung: Vollbrücke Wechselrichter
Eingangskapazität (Cies): 2.8 NF @ 25 V.
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (max): 600 V
Sammlerstrom (IC) (max): 72 a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung (VCE (ON)): 2,4 V @ 15 V, 50 a
Collector Cutoff Current (max): 600 a
Produktvorteile
Hochleistungsbeschaffungskapazität
Breiter Betriebstemperaturbereich
Geeignet für Wechselrichteranwendungen mit voller Brücke
Wichtige technische Parameter
Hersteller Teilnummer: MKI50-06A7
Verpackung: E2
IGBT-Typ: Nicht-Punch-Through (NPT)
Eingabekonfiguration: Standard
Leistungsbewertung: 225 w
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (max): 600 V
Sammlerstrom (IC) (max): 72 a
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in einer Vielzahl von Industrie- und Strom -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Vollbrücke Wechselrichter
Industrie- und Energieelektronikanwendungen
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktangebot, keine Informationen zum Absetzen oder zum Austausch
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungsbeschaffungskapazität
Breiter Betriebstemperaturbereich
Geeignet für Wechselrichteranwendungen mit voller Brücke
ROHS3 -konform
Nachgewiesene Zuverlässigkeit und Leistung

MKI45H64P-62STMicroelectronics
MKI2 .1/100/10 LS5WIMAMKI2 .1/100/10 LS5 ROHS
MKI4501P-70MOSTEK