Hersteller Teilnummer
2SC4617TLR
Hersteller
Lapis -Technologie
Einführung
Diskrete Halbleiterprodukte
Bipolare Junction Transistor (BJT) Single
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
Oberflächenmontagepaket (SC-75, SOT-416)
Betriebstemperatur: 150 ° C (TJ)
Leistungsbewertung: 150 MW
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 50 V
Sammlerstrom: 150 mA
Collector Cutoff Current: 100 NA (ICBO)
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 400 mV @ 5 mA, 50 mA
Gleichstromverstärkung: 180 @ 1 Ma, 6 V.
Übergangsfrequenz: 180 MHz
Produktvorteile
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung
Hochfrequenzvorgang
Kompakte Oberflächenmontagepaket
Wichtige technische Parameter
Transistortyp: NPN
Verpackung: Band & Rollen (TR)
Lieferantengerätepaket: EMT3
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen elektronischen Schaltungskonstruktionen
Anwendungsbereiche
Verstärker
Schalter
Logikschaltungen
Stromverwaltungsschaltungen
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell, keine Absetzung geplant
Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Leistungshandhabung und Hochfrequenzleistung
Niedrige Sättigungsspannung für einen effizienten Betrieb
Kompaktes Oberflächenmontagepaket für platzbeschränkte Designs
ROHS3 -Konformität für den Einsatz in modernen elektronischen Systemen
2SC4617PTCJ