- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
2SK2299N.pdf2SK2299N Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SK2299N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SK2299N
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | LAPIS Technology | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FN | |
| Serie | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 4A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 30W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 450 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Ta) | |
| Grundproduktnummer | 2SK2299 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SK2299N.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | 2SK2299N | 2SK2285 | 2SK2311 | 2SK2313 S1CHF(O) |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | SHINDENGEN | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Ta) | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 450 V | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | - | - | - |
| Befestigungsart | Through Hole | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FN | - | - | - |
| Grundproduktnummer | 2SK2299 | - | - | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 4A, 10V | - | - | - |
| Typ FET | N-Channel | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±30V | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 10 V | - | - | - |
| Verlustleistung (max) | 30W (Tc) | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | - | - | - |
| Paket | Bulk | - | - | - |
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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