Hersteller Teilnummer
2SK3018T106
Hersteller
Lapis -Technologie
Einführung
Der 2SK3018T106 ist ein MOSFET-Transistor für Verbesserung des Verbesserungsmodus, der für allgemeine Umschalt- und Amplifikationssendungen ausgelegt ist.
Produktfunktionen und Leistung
N-Kanal-MOSFET-Transistor
Drain-to-Source-Spannung (VDSS) von 30 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS) von ± 20 V
On-Resistenance (RDS (ON)) von 8 under bei 10 mA, 4 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) von 100 mA bei 25 ° C
Eingangskapazität (CISS) von 13PF bei 5 V
Leistungsdissipation (PD) von 200 MW bei 25 ° C
Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Produktvorteile
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromschaltungen
Breiter Betriebsspannungsbereich
Kleiner SC-70-Oberflächenmontagepaket
ROHS-konform und leitfrei
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 30V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
On-Resistenance (RDS (ON)): 8 Ω @ 10 mA, 4V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 100 mA bei 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 13PF @ 5V
Leistungsdissipation (PD): 200 MW bei 25 ° C.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Halogenfrei
Kompatibilität
Der 2SK3018T106 ist mit einem breiten Bereich von elektronischen Geräten und Systemen kompatibel, für die ein MOSFET-Transistor für allgemeine Nutzungsleistung erforderlich ist.
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motorfahrer
Verstärker
Audioausrüstung
Industrial Control Systems
Produktlebenszyklus
Der 2SK3018T106 ist ein aktives und leicht verfügbares Produkt aus Lapis -Technologie.Es gibt keine Pläne für die Absage, und geeignete Ersatz- oder Upgrade -Optionen sind verfügbar.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Effiziente Leistungsumschaltung aufgrund einer geringen Einwendung
Breiter Betriebsspannungsbereich für vielseitige Anwendungen
Kleiner Oberflächenmontagepaket für kompaktes Design
ROHS Compliance und halogenfreie Konstruktion für die Umweltverantwortung
Leicht verfügbar und aktiv unterstützt vom Hersteller
