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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC643TUT106
Rohm Semiconductor
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DTC643TUT106 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC643TUT106
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC643TUT106
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 311380

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Spezifikation

DTC643TUT106 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC643TUT106 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC643TUT106

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3  
Serie -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 820 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  
Grundproduktnummer DTC643  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC643TUT106.

Produkteigenschaften DTC643TUT106 DTC643TKT146 DTC623TKT146 DTC614TUT106
Artikelnummer DTC643TUT106 DTC643TKT146 DTC623TKT146 DTC614TUT106
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V 20 V 20 V 20 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA 150mV @ 2.5mA, 50mA 150mV @ 2.5mA, 50mA 150mV @ 2.5mA, 50mA
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 2.2 kOhms 10 kOhms
Serie - - - -
Grundproduktnummer DTC643 DTC643 DTC623 DTC614
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO)
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 820 @ 50mA, 5V 820 @ 50mA, 5V 820 @ 50mA, 5V 820 @ 50mA, 5V
Frequenz - Übergang 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz
Supplier Device-Gehäuse UMT3 SMT3 SMT3 UMT3

DTC643TUT106 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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