- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.255 | $0.26 |
| 200+ | $0.102 | $20.40 |
| 500+ | $0.098 | $49.00 |
| 1000+ | $0.097 | $97.00 |
EMF8T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMF8T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMF8T2R
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | LAPIS Technology | |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V, 12V | |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA | |
| Transistor-Typ | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 | |
| Serie | - | |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms | |
| Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms | |
| Leistung - max | 150mW |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 | |
| Paket | Tape & Reel (TR) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Frequenz - Übergang | 250MHz, 320MHz | |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V | |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA, 500mA | |
| Grundproduktnummer | EMF8T2 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMF8T2R.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | EMF8T2R | EMF8132A3PB-DV-F-D | EMF8132A3MA-DV-F-D | EMFA0P02K |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | EMC |
| Transistor-Typ | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 | - | - | - |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V | - | - | - |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V, 12V | - | - | - |
| Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms | - | - | - |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | - | - | - |
| Befestigungsart | Surface Mount | - | - | - |
| Leistung - max | 150mW | - | - | - |
| Grundproduktnummer | EMF8T2 | EMF8132 | EMF8132 | - |
| Frequenz - Übergang | 250MHz, 320MHz | - | - | - |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA | - | - | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms | - | - | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA, 500mA | - | - | - |
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EMF8132A3PB-DV-F-DMicron Technology Inc.IC SDRAM LPDDR3 8G NANA FBGA DDP
EMF8132A3MA-DV-F-DMicron Technology Inc.LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC GR
EMFA0P02KEMC
EMFA0P02JSEMC
EMFA0P02JEMC
EMF65P02JEMC
EMFA0P02J-AUEMC
EMF90P02AEMC
EMF9 T2RRONM
EMF8132A3PF-DV-F-DMicron Technology Inc.LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC VF
EMF70P02VAEMC
EMF65B02VEMC
EMF90P02EMC
EMF90P02A MOSEMC
EMF8132A3PF-DV-F-R TRMicron Technology Inc.LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC VF
EMF8164A3PK-DV-F-DMicron Technology Inc.LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC GRIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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