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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelQS5U36TR
Rohm Semiconductor
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QS5U36TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS5U36TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS5U36TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Datenblatt
QS5U36TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 139370

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Anzahl

Spezifikation

QS5U36TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS5U36TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS5U36TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT5  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)  
Grundproduktnummer QS5U36  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS5U36TR.

Produkteigenschaften QS5U36TR QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR
Artikelnummer QS5U36TR QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Serie - - - -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 2.5A, 4.5V 125mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±12V 10V ±12V
Grundproduktnummer QS5U36 QS5U28 QS5U34 QS5U21
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta) 2A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V 450 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA

QS5U36TR Datenblatt PDF

Laden Sie QS5U36TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS5U36TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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