Spezifikation
RGT80TS65DGC11 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RGT80TS65DGC11 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RGT80TS65DGC11
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
LAPIS Technology |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
650 V |
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| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2.1V @ 15V, 40A |
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| Testbedingung |
400V, 40A, 10Ohm, 15V |
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| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
34ns/119ns |
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| Schaltenergie |
- |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-247N |
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| Serie |
- |
|
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) |
58 ns |
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| Leistung - max |
234 W |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
TO-247-3 |
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| Paket |
Tube |
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| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 175°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Through Hole |
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| Eingabetyp |
Standard |
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| IGBT-Typ |
Trench Field Stop |
|
| Gate-Ladung |
79 nC |
|
| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
120 A |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
70 A |
|
| Grundproduktnummer |
RGT80 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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RGT8BM65DTLRohm SemiconductorIGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
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RGTCM0806650H0TWalsin Technology CorporationRF FILTER BAND PASS 5GHZ 0302